Metòd pou prepare polysilicon.

1. Chaje

Mete kreze kwatz la kouvwi sou tab echanj chalè a, ajoute materyèl Silisyòm anvan tout koreksyon, Lè sa a, enstale ekipman chofaj, ekipman izolasyon ak kouvèti gwo founo dife, evakye gwo fou a diminye presyon an nan gwo fou a 0.05-0.1mbar epi kenbe vakyòm. Entwodwi agon kòm yon gaz pwoteksyon kenbe presyon an nan gwo fou a fondamantalman nan alantou 400-600mbar.

2. Chofaj

Sèvi ak yon aparèy chofaj grafit pou chofe kò a gwo founo dife, premye evapore imidite ki absòbe sou sifas pati grafit, kouch izolasyon, matyè premyè Silisyòm, elatriye, epi tou dousman chofe pou fè tanperati kwatz la rive sou 1200-1300.℃. Pwosesis sa a pran 4-5 èdtan.

3. K ap fonn

Entwodwi agon kòm yon gaz pwoteksyon kenbe presyon an nan gwo fou a fondamantalman nan alantou 400-600mbar. Piti piti ogmante pouvwa chofaj la pou adapte tanperati a nan kreze a sou 1500℃, ak materyèl la anvan tout koreksyon Silisyòm kòmanse fonn. Kenbe apeprè 1500℃pandan pwosesis la k ap fonn jiskaske fizyon an fini. Pwosesis sa a pran apeprè 20-22 èdtan.

4. Crystal kwasans

Apre materyèl la anvan tout koreksyon Silisyòm fonn, pouvwa chofaj la redwi pou fè tanperati a nan creuze gout nan apeprè 1420-1440.℃, ki se pwen k ap fonn Silisyòm. Lè sa a, kwatz la kwatz piti piti deplase desann, oswa aparèy la izolasyon piti piti leve, se konsa ke kwatz la kwatz tou dousman kite zòn nan chofaj ak fòme echanj chalè ak anviwònman an; an menm tan an, dlo pase nan plak la refwadisman diminye tanperati a nan fonn nan anba a, ak Silisyòm cristalline premye fòme nan pati anba a. Pandan pwosesis kwasans lan, koòdone solid-likid la toujou rete paralèl ak plan orizontal la jiskaske kwasans kristal la fini. Pwosesis sa a pran apeprè 20-22 èdtan.

5. Recuit

Apre kwasans kristal la fini, akòz gradyan tanperati a gwo ant anba a ak tèt kristal la, estrès tèmik ka egziste nan ingot la, ki fasil pou kraze ankò pandan chofaj wafer Silisyòm lan ak preparasyon batri a. . Se poutèt sa, apre kwasans kristal la fini, lingote Silisyòm lan kenbe tou pre pwen k ap fonn lan pou 2-4 èdtan pou fè tanperati inifòm ingot Silisyòm lan epi redwi estrès tèmik.

6. Refwadisman

Apre ingot Silisyòm lan rkwit nan gwo fou a, fèmen pouvwa chofaj la, ogmante aparèy izolasyon chalè a oswa konplètman bese ingot Silisyòm lan, epi prezante yon gwo koule gaz Agon nan gwo fou a pou redwi piti piti tanperati a nan ingot Silisyòm nan tou pre. tanperati chanm; an menm tan an, presyon gaz la nan gwo fou a piti piti leve jiskaske li rive nan presyon atmosferik. Pwosesis sa a pran apeprè 10 èdtan.